个人简介

刘小年，1990年12月出生，工学博士，讲师，硕士生导师，湖南省电子学会理事。2013年7月毕业于复旦大学物理学系并获理学学士学位；2018年6月毕业，获中国科学院大学工学博士学位；2018年7月至2020年8月在Cadence公司DSG（数字签核部门）担任研发工程师（Senior Engineer）。主要从事半导体器件物理与器件模型、半导体器件与电路的辐射效应、集成电路EDA算法等方面的研究。

办公室：理学院313室

Ｅmail:xiaonian@hunnu.edu.cn

学术贡献

1. 研究了SOI器件的总剂量辐射效应，提出了若干器件抗辐射加固结构，并从理论上解释了部分耗尽SOI器件的总剂量效应导致的体电流降低效应。

2. 提出并完善了部分耗尽SOI器件的Kink效应理论模型，该模型准确预测了SOI器件漏端电流和体电流。

3. 支持TSMC、Samsung、SMIC等公司的先进纳米制程物理规则在数字后端EDA工具中的实现。

教学情况

本科生教学：《模拟电子技术》、《C语言程序设计》、《电工学》、《ASIC设计基础》

研究生教学：《数值分析》、《非线性电路及应用》

承担课题

1. 2022年国家自然科学基金青年科学基金项目（62204083）：纳米FDSOI器件总剂量效应对单粒子瞬态脉冲的协同效应研究（主持）。

2. 2021年湖南省教育厅项目（21B0057）：基于22纳米FDSOI工艺的MOS器件辐射总剂量效应研究（主持，已结题）。

3. 2024年湖南省自然科学基金青年基金项目（2024JJ6322）：纳米器件辐射总剂量效应对载流子输运影响机理研究（主持）。

4. 2021年横向科研项目：基于40纳米工艺的单粒子效应仿真分析。（主持，已结题，45万元）。

5. 2022年横向科研项目：基于C++的多线程大规模数字后端时序报告统计分析工具开发（主持，已结题，12万元）。

6. 2022年新·葡萄88805博士科研启动经费：半导体器件和电路的辐射效应研究（主持）。

代表性成果

学术论文:

1. Ziyong Xu,Xiaonian Liu*,“An Analytical Model for Weak Avalanche Induced Kink Effect of PDSOI nMOSFETs”,IEEE Transactions on Electron Devices, 2023, 70(7), 3430-3436.

2.Xiaonian Liu, Xiangliang Jin, Zhiwei Zheng, Jun Dong*,“An analytical model for the body contact current of PDSOI nMOSFETs”,Solid-State Electronics, 2023, 206, 108668.

3.Xiaonian Liu*, Zichen Yang,“An Investigation of Process Variations and Mismatch Characteristics of Vertical Bipolar Junction Transistors”,IEEE Access, 2023, 11, 86480-86488.

4.Xiaonian Liu*, Lihua Dai, Pingliang Li, Shichang Zou,“Electrical performance of 130 nm PD-SOI MOSFET with diamond layout”,Microelectronics Journal, 2020, 99, 104428.

5.Xiaonian Liu*, Yansen Liu,“A Scalable PSP RF Model for 0.11 µm MOSFETs”,Progress In Electromagnetics Research Letters, 2023, 113, 43-51.

6. Zichen Yang,Xiaonian Liu*, Mao Li, Xuexing Hong, Ying Zhou, Zhipeng Yang,“Ten-Winged Butterfly Chaotic System Based on Julia Fractal”,2023 7^thInternational Conference on Robotics and Automation Sciences, 2023, Wuhan, 64-69.

7.Xiao-Nian Liu*, Li-Hua Dai, Bing-Xu Ning, Shi-Chang Zou,“Total-Ionizing-Dose-Induced Body Current Lowering in the 130 nm PDSOI I/O NMOSFETs”,Chinese Physics Letters, 2017, 34(1), 016103.

8.Xiaonian Liu*, Yiran Xu, Xiangquan Fan, Mengxing Liao, Pingliang Li, Shichang Zou,“A macro SPICE model for 2-bits/cell split-gate flash memory cell”,Microelectronics Journal, 2017, 63, 75-80.

知识产权:

1 集成电路布图登记：具有抗辐照加固特性的触发器（BS.235533521）

2 集成电路布图登记：基于SMIC55nm工艺的Psensor版图布图设计（BS.235532770）

3 软著：非线性电路动力学特性研究分析系统V1.0（2022SR1295132）

4 软著：基于单片机的智能物料传送系统V1.0（2022SR0914588）

5 软著：面向多模式触发的超声波测距系统（2022SR0858478）

6 软著：基于单片机的简易示波器系统V1.0（2022SR0241006）

7 软著：基于WIFI的单片机上位机软件V1.0（2021SR0824127）

获奖情况

1.2021-2023年，指导大学生电子设计大赛，多次获湖南省二等奖

2.2022-2023年，新·葡萄88805青年教师课堂教学竞赛二等奖