报告题目：面向高能率处理器的超导集成电路技术研发

报 告  人：任洁 研究员（万人青拔） 中科院上海微系统所

研究方向：超导电子学

报告时间：2023年4月16日（星期日）上午9:30

报告地点：量子楼410

报告摘要：

难以逾越的功耗墙是高性能处理器面临的一大挑战。超导集成电路，又称超导单磁通量子（single flux quantum, SFQ）电路具有百GHz频率、位操作功耗10-19J的高速、低功耗优势，作为后摩尔时代实现更高能率处理器等高性能计算的可选方案之一被IEEE-IRDS（国际器件与系统路线图）持续关注。本报告将介绍课题组针对高能率超导SFQ处理器的研发需求，针对提高器件晶圆内均匀度和晶圆间重复性、高速数字单元库的鲁棒性、大规模超导逻辑电路设计效率和良率等目标，在超导集成工艺、PDK、单元库、EDA工具开发、高频电路测试方面的研究进展。

报告人简介：

中科院上海微系统所研究员、超导电子实验室副主任、博士生导师、上海大学兼职导师。2004年于南京大学获学士学位，2011年于纽约州立大学石溪分校获博士学位，后在美国Hypres公司从事超导ADC等芯片研发工作。2015年入职中科院上海微系统所担任研究员。建立并带领团队深入开展超导IC芯片关键核心技术攻关，建立起超导大规模IC芯片设计与测试研发平台，开发了国内首套入选IEEE-IRDS路线图的超导IC集成工艺、高速超导单元库以及系列大规模超导IC芯片。入选多项国家级及省部级人才计划，主持科技部重点研发计划青年科学家项目、国家自然科学基金面上项目、中科院A类先导专项项目等多项国家级及省部级重大科研项目，累计发表SCI论文40余篇，申请及授权发明专利40余项。先后荣获全国巾帼建功标兵、中科院青年科学家奖等多项奖励及荣誉称号。